张洁  现任湖南三安半导体有限责任公司副总经理，电子工程高级工程师，博士。

具有17年化合物半导体及宽紧带半导体材料生长与器 件研制的经验，在蓝宝石、SiC及Si衬底的 GaN 材料体系外延、蓝绿光紫外光 LED 和激光器方向有丰富经验。申请专利 160 余项，已获得授权专利 89 项 (含 发明专利 30 项) ，发表著作 1 部，文章 13 篇。2013  年在国内率先导入 PVD 缓 冲层工艺有效提高 LED 亮度，将蓝光外延程序由7 小时缩短至 5 小时；2014 年 在国内率先布局DUV 280nm LED 产品，与日本名古屋大学 Amano 教授合作开 展外延和芯片技术开发，产品技术水平已达到或优于日本同类产品；2015 年在 国内率先布局蓝光激光器研究工作，通过新技术开发，新型微结构设计，实现 MQW 蓝光量子阱完全去除 V 型缺陷和高空穴浓度 P 型 AlGaN 电子阻挡控制。 

2017 年开始全面主持 SiC 晶体生长和晶片研发和产业化工作，重点布局研发高 质量、大尺寸 SiC 衬底，解决晶体缺陷、提升生长良率、扩大晶体尺寸、降低加 工损失。2019 年已成功研发 6 寸 SiC 单晶衬底并实现量产，100%控制 SiC 衬底 为 4H 晶型单晶结构，通过衬底加工技术改善了 SiC 衬底表面角度精度，解决高 表面平整度、低表面损伤的加工工艺相关技术问题，有效探索多种新工艺，合理 有效的控制了产品技术规格，实现从0到 1 的大步跨越。